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Si4914BDY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
V GS = 10 V thr u 5 V
4 V
2.0
1.6
1.2
T J = 25 °C
20
10
0
3 V
0. 8
0.4
0
T J = 125 °C
T J = - 55 °C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1.2
2.4
3.6
4. 8
6.0
0.040
0.034
0.02 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1200
960
720
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.022
V GS = 4.5 V
4 8 0
0.016
V GS = 10 V
240
C oss
0.010
0
C rss
0
10
20
30
40
50
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 8 A
V DS = 10 V
1.5
I D = 7.5 A
V GS = 10 V
V DS = 15 V
6
4
2
0
V DS = 20 V
1.3
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V
0
3.4
6. 8
10.2
13.6
17.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
8
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 69654
S09-2109-Rev. E, 12-Oct-09
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